Casa Produtostransistor de poder do mosfetSubstituição RA60H4452M1-101 do transistor do ampère da fase de H2M 2 para o rádio móvel
Certificado
de boa qualidade Microplaqueta programável de IC para vendas
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A eletrônica de Koben foi o único fornecedor componente chinês para fornecer o nível de serviço de 100%.

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Substituição RA60H4452M1-101 do transistor do ampère da fase de H2M 2 para o rádio móvel

China Substituição RA60H4452M1-101 do transistor do ampère da fase de H2M 2 para o rádio móvel fornecedor

Imagem Grande :  Substituição RA60H4452M1-101 do transistor do ampère da fase de H2M 2 para o rádio móvel

Detalhes do produto:

Lugar de origem: JP
Marca: Mitsubishi
Certificação: IEC
Número do modelo: RA60H4452M1-101

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1 parte
Preço: negotiable
Detalhes da embalagem: embalagem padrão da fábrica
Tempo de entrega: 1-2 dias úteis
Termos de pagamento: T / T, Western Union, Paypal
Habilidade da fonte: 10000 partes pelo ano
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Descrição de produto detalhada
Condição: Produto brandnew de 100% Estado da parte: Active
Pacote: H2m Estado sem chumbo/estado de RoHS: Complacente
Potência de saída: 60W tensão: 12.5V

RA60H4452M1-101 440-520MHz 60W 12.5V, 2 encenam o ampère. Transistor de poder para o RÁDIO MÓVEL

 

DESCRIÇÃO

 

O RA60H4452M1 é um módulo do amplificador do MOSFET de um RF de 60 watts para os rádios móveis de 12,5 volts que se operam nos 440 - à escala 520-MHz. A bateria pode ser conectada diretamente ao dreno dos transistor do MOSFET do realce-modo. Sem a tensão da porta (VGG=0V), somente uma corrente pequena do escapamento flui no dreno e o sinal de saída nominal (Pout=60W) atenua DB até 60. O aumento atual potência de saída e do dreno como a tensão da porta aumenta. O aumento atual potência de saída e do dreno substancialmente com a tensão da porta em torno de 0V (mínimo). O potência de saída nominal torna-se disponível no estado que VGG é 4V (típico) e 5V (máximo). Em VGG=5V, as correntes típicas da porta são o módulo 5mA.This são projetadas para a modulação não-linear de FM, mas podem igualmente ser usadas para a modulação linear ajustando a corrente quieta do dreno com a tensão da porta e controlando o potência de saída com o poder de entrada

 

CARACTERÍSTICAS

 

1, transistor do MOSFET do Realce-modo (IDD≅0 @ VDD=12.5V, VGG=0V)

2, Pout>60W, ηT>40% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=50mW

3, escala de frequência de faixa larga: 440-520MHz

4, estrutura do protetor do metal que faz as melhorias da radiação especulativo simples

5, controle IGG=5mA atual da baixa potência (tipo) @ VGG=5V

6, tamanho do módulo: 67 x 18 x 9,9 milímetros

7, operação linear são possíveis ajustando o dreno quieto atual com as tensões da porta e controlando o potência de saída com o poder de entrada.

 

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