Casa Produtostransistor de poder do mosfetElevado desempenho do FET 93.7W do transistor do RF do poder superior da faixa de FLM0910-25F X
Certificado
de boa qualidade Microplaqueta programável de IC para vendas
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A eletrônica de Koben foi o único fornecedor componente chinês para fornecer o nível de serviço de 100%.

—— James Cassidy - Avara

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Elevado desempenho do FET 93.7W do transistor do RF do poder superior da faixa de FLM0910-25F X

China Elevado desempenho do FET 93.7W do transistor do RF do poder superior da faixa de FLM0910-25F X fornecedor
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Imagem Grande :  Elevado desempenho do FET 93.7W do transistor do RF do poder superior da faixa de FLM0910-25F X

Detalhes do produto:

Lugar de origem: JP
Marca: Fuji Electric
Certificação: IEC
Número do modelo: FLM0910-25F

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1 parte
Preço: negotiable
Detalhes da embalagem: embalagem padrão da fábrica
Tempo de entrega: 1-2 dias úteis
Termos de pagamento: T / T, Western Union, Paypal
Habilidade da fonte: 10000 partes pelo ano
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Descrição de produto detalhada
Tensão da Dreno-fonte: 15V Tensão da Porta-fonte: -5V
Dissipação de poder total: 93.7W Temperatura de armazenamento: -65 a +175℃
Temperatura do canal: 175℃ Corrente máxima do dreno: 16.2A

FET internamente combinado da X-faixa do transistor de poder de FLM0910-25F RF

 

DESCRIÇÃO

 

O FLM0910-25F é um FET do GaAs do poder que esteja internamente as faixas padrão de uma comunicação do matchedfor para fornecer o poder e o ganho os melhores em um 50Ωsystem

 


 

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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Zhu

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